制造商型号: | DMN3032LFDB-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMN3032LFDB-7
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DMN3032LFDB-7 中文资料
数据手册PDF
DMN3032LFDB-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.2 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10.6 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
库存: 35555
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.051488 | 5.05 |
10 | 4.35691 | 43.57 |
100 | 3.030894 | 303.09 |
500 | 2.366623 | 1183.31 |
1000 | 1.923607 | 1923.61 |
品牌其他型号
DMN3032LFDB-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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