制造商型号： | IPI032N06N3 G |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPI032N06N3 G
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IPI032N06N3 G 中文资料
数据手册PDF
IPI032N06N3 G 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 165 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 75 S
上升时间 120 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 35 ns
外形参数
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP000680650 IPI32N6N3GXK IPI032N06N3GAKSA1
单位重量 2.387 g
品牌其他型号
IPI032N06N3 G品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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