IPI032N06N3 G、IPI032N06N3GAKSA1对比区别

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型号 IPI032N06N3 G IPI032N06N3GAKSA1

描述 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能OptiMOSâ ?? ¢ 3功率三极管 OptiMOS™3 Power-Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3

额定功率 - 188 W

极性 - N-CH

耗散功率 188W (Tc) 188 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 120A

上升时间 120 ns 120 ns

输入电容(Ciss) 13000pF @30V(Vds) 10000pF @30V(Vds)

下降时间 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 188W (Tc) 188W (Tc)

阈值电压 4 V -

长度 10.36 mm 10.36 mm

宽度 4.572 mm 4.572 mm

高度 11.177 mm 11.177 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free