制造商型号： | ZXMC6A09DN8TA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) ZXMC6A09DN8TA
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ZXMC6A09DN8TA 中文资料
数据手册PDF
ZXMC6A09DN8TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.1 A
漏源电阻 70 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 24.2 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11 ns, 23 ns
上升时间 3.3 ns, 5.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 28.5 ns, 55 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns, 4.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 8000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 14 | 12.372008 | 173.21 |
| 125 | 11.426874 | 1428.36 |
| 250 | 10.39591 | 2598.98 |
| 500 | 8.677586 | 4338.79 |
品牌其他型号
ZXMC6A09DN8TA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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