制造商型号： | ZXMC4559DN8TA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) ZXMC4559DN8TA
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ZXMC4559DN8TA 中文资料
数据手册PDF
ZXMC4559DN8TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.7 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.4 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10.6 ns, 10 ns
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.2 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 87
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 2.74151 | 2.74 |
| 10 | 2.025784 | 20.26 |
| 30 | 1.894446 | 56.83 |
| 100 | 1.762966 | 176.30 |
| 500 | 1.704498 | 852.25 |
品牌其他型号
ZXMC4559DN8TA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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