制造商型号: | EM6K7T2CR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ROHM(罗姆) EM6K7T2CR
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EM6K7T2CR 中文资料
数据手册PDF
EM6K7T2CR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥5.326915 总价:¥5.33 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.326915 | 5.33 |
10 | 4.592984 | 45.93 |
100 | 3.430534 | 343.05 |
500 | 2.69542 | 1347.71 |
1000 | 2.082824 | 2082.82 |
2000 | 1.899104 | 3798.21 |
品牌其他型号
EM6K7T2CR品牌厂家:ROHM
,所属分类: 射频晶体管
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