制造商型号： | IPS65R1K0CEAKMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPS65R1K0CEAKMA1
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IPS65R1K0CEAKMA1 中文资料
数据手册PDF
IPS65R1K0CEAKMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 15.3 nC
耗散功率 37 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.6 ns
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 6.6 ns
外形参数
高度 6.22 mm
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPS65R1K0CE SP001276048
单位重量 340 mg
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品牌其他型号
IPS65R1K0CEAKMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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