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IPS65R1K0CEAKMA1

IPS65R1K0CEAKMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-251 N-CH 700V 4.3A

通孔 N 通道 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-251


得捷:
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 4.3A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 4.3A 3-Pin TO-251 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.3A; 37W; IPAK SL


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 4.3A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251 / N-Channel 650 V 4.3A Tc 37W Tc Through Hole TO-251


IPS65R1K0CEAKMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 37 W

极性 N-CH

耗散功率 68 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 4.3A

上升时间 5.2 ns

输入电容Ciss 328pF @100VVds

下降时间 13.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 37W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPS65R1K0CEAKMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon 英飞凌 TO-251 N-CH 700V 4.3A 搜索库存