制造商型号： | FMM110-015X2F |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) FMM110-015X2F
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FMM110-015X2F 中文资料
数据手册PDF
FMM110-015X2F 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 TrenchT2
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 53 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 180 W
配置 Dual
下降时间 18 ns
正向跨导（Min） 75 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 33 ns
外形参数
高度 21.34 mm
长度 20.29 mm
宽度 5.21 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 TrenchT2 HiperFET N-Channel Power MOSFET
单位重量 6.500 g
品牌其他型号
FMM110-015X2F品牌厂家：IXYS
，所属分类： 射频晶体管
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