制造商型号: | MW6S010GNR1 |
制造商: | NXP (恩智浦) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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NXP(恩智浦) MW6S010GNR1
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MW6S010GNR1 中文资料
数据手册PDF
MW6S010GNR1 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏源击穿电压 68 V
工作频率 1.5 GHz
输出功率 10 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
湿度敏感性 Yes
耗散功率 61.4 W
栅极电压 12 V
栅源极阈值电压 2.3 V
规格参数
增益 18 dB
外形参数
高度 2.08 mm
长度 9.7 mm
宽度 5.97 mm
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935324159528
单位重量 548 mg
库存: 124
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 271.237402 | 271.24 |
10 | 250.204079 | 2502.04 |
25 | 238.966276 | 5974.16 |
100 | 213.662728 | 21366.27 |
250 | 210.850964 | 52712.74 |
品牌其他型号
MW6S010GNR1品牌厂家:NXP
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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