制造商型号: | DMN63D8LDWQ-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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DIODES(美台) DMN63D8LDWQ-7
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DMN63D8LDWQ-7 中文资料
数据手册PDF
DMN63D8LDWQ-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 220 mA
漏源电阻 2.8 Ohms, 2.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 870 pC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6.3 ns, 6.3 ns
正向跨导(Min) 80 mS, 80 mS
上升时间 3.2 ns, 3.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 12 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns, 3.3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 0.498371 | 1495.11 |
6000 | 0.433357 | 2600.14 |
15000 | 0.368342 | 5525.13 |
30000 | 0.346672 | 10400.16 |
75000 | 0.325 | 24375.00 |
品牌其他型号
DMN63D8LDWQ-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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