制造商型号： | PMDT670UPE,115 |
制造商： | Nexperia (安世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Nexperia(安世) PMDT670UPE,115
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PMDT670UPE,115 中文资料
数据手册PDF
PMDT670UPE,115 规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 550 mA
漏源电阻 670 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 760 pC
耗散功率 1.09 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 72 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 18 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 934065734115
单位重量 2.800 mg
库存： 12118
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.31309 | 5.31 |
| 10 | 3.990996 | 39.91 |
| 25 | 3.603017 | 90.08 |
| 100 | 1.899121 | 189.91 |
| 250 | 1.879598 | 469.90 |
| 500 | 1.683138 | 841.57 |
| 1000 | 1.309739 | 1309.74 |
品牌其他型号
PMDT670UPE,115品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 射频晶体管
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