制造商型号： | PMDT290UNE,115 |
制造商： | Nexperia (安世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Nexperia(安世) PMDT290UNE,115
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PMDT290UNE,115 中文资料
数据手册PDF
PMDT290UNE,115 规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 450 pC
耗散功率 390 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 31 ns
正向跨导（Min） 1.6 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 86 ns
典型接通延迟时间 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 934065732115
单位重量 2.800 mg
库存： 171102
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.942089 | 5.94 |
| 10 | 4.196602 | 41.97 |
| 100 | 2.113157 | 211.32 |
| 500 | 1.872997 | 936.50 |
| 1000 | 1.45767 | 1457.67 |
| 2000 | 1.304537 | 2609.07 |
品牌其他型号
PMDT290UNE,115品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 射频晶体管
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