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ROCHESTER(罗彻斯特电子) IGP01N120H2XKSA1

ROCHESTER(罗彻斯特电子) IGP01N120H2XKSA1
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IGP01N120H2XKSA1

制造商:

ROCHESTER (罗彻斯特电子)

产品类别:

晶体管-IGBT

商品描述:

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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IGP01N120H2XKSA1 中文资料

IGP01N120H2XKSA1 规格参数

属性
参数值

制造商型号

IGP01N120H2XKSA1

制造商

ROCHESTER(罗彻斯特电子)

商品描述

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN

包装

Tube

系列

-

零件状态

Obsolete

IGBT 类型

-

电压 - 集射极击穿(最大值)

1.2V

电流 - 集电极(Ic)(最大值)

3.2A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)

3.5A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

2.8V @ 15V, 1A

功率 - 最大值

28W

开关能量

140µJ

输入类型

Standard

栅极电荷

8.6nC

25°C 时 Td(开/关)值

13ns/370ns

测试条件

800V, 1A, 241Ohm, 15V

反向恢复时间(trr)

-

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/外壳

TO-220-3

供应商器件封装

PG-TO220-3

库存: 26012

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

549 个

整装:

¥10
单价:¥6.795811 总价:¥3730.90
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
549 6.795811 3730.90
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