制造商型号： | NE3515S02-T1C-A |
制造商： | CEL |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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CEL NE3515S02-T1C-A
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NE3515S02-T1C-A 中文资料
数据手册PDF
NE3515S02-T1C-A 规格参数
关键信息
制造商 CEL
商标 CEL
产品 RF JFET
技术类参数
晶体管类型 pHEMT
技术 GaAs
工作频率 12 GHz
漏源击穿电压 4 V
栅源极击穿电压 - 3 V
漏极电流 88 mA
耗散功率 165 mW
正向跨导（Min） 70 mS
NF—噪声系数 0.3 dB
P1dB - 压缩点 14 dBm
规格参数
增益 12.5 dB
物理类型
产品种类 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF JFET Transistors
类型 GaAs pHEMT
NE3515S02-T1C-A 同类别型号
品牌其他型号
NE3515S02-T1C-A品牌厂家：CEL
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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