制造商型号: | PMDXB600UNEZ |
制造商: | Nexperia (安世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Nexperia(安世) PMDXB600UNEZ
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PMDXB600UNEZ 中文资料
数据手册PDF
PMDXB600UNEZ 规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 600 mA
漏源电阻 3 Ohms, 3 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 400 pC
耗散功率 380 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 51 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 9.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 5.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934067655147
单位重量 1.200 mg
库存: 15791
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.807622 | 5.81 |
10 | 4.292591 | 42.93 |
100 | 2.434151 | 243.42 |
500 | 1.611743 | 805.87 |
1000 | 1.235635 | 1235.63 |
2000 | 1.074536 | 2149.07 |
品牌其他型号
PMDXB600UNEZ品牌厂家:Nexperia
,所属分类: 射频晶体管
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