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INFINEON(英飞凌) FS75R07W2E3B11ABOMA1

INFINEON(英飞凌) FS75R07W2E3B11ABOMA1
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

FS75R07W2E3B11ABOMA1

制造商:

INFINEON (英飞凌)

产品类别:

晶体管IGBT

商品描述:

IGBT MODULES

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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FS75R07W2E3B11ABOMA1 中文资料

FS75R07W2E3B11ABOMA1 规格参数

关键信息

制造商 Infineon

产品 IGBT Silicon Modules

商标 Infineon Technologies

商标名 TRENCHSTOP EasyPACK PressFIT

技术类参数

配置 3-Phase

击穿电压(集电极-发射极) 650 V

饱和电压 1.7 V

在25 C的连续集电极电流 95 A

栅极—射极漏泄电流 400 nA

耗散功率 275 W

栅极/发射极最大电压 20 V

技术 Si

物理类型

产品种类 IGBT 模块

安装风格 Through Hole

产品类型 IGBT Modules

零件号别名 FS75R07W2E3_B11A SP000865130

FS75R07W2E3B11ABOMA1 引脚图与封装图

FS75R07W2E3B11ABOMA1电路图

FS75R07W2E3B11ABOMA1电路图

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