制造商型号： | UJ3C120040K3S |
制造商： | SiC (碳化硅（SiC）功率半导体制造商) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | 1200V 40 MOHM SIC CASCODE, G3, T |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) UJ3C120040K3S
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UJ3C120040K3S 规格参数
关键信息
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 65 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 429 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 20 ns
典型关闭延迟时间 63 ns
典型接通延迟时间 33 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 192.509605 | 192.51 |
| 10 | 171.068759 | 1710.69 |
| 100 | 149.620756 | 14962.08 |
| 500 | 127.676378 | 63838.19 |
品牌其他型号
UJ3C120040K3S品牌厂家：SiC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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