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UnitedSiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商) UF3C120150B7S

UnitedSiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商) UF3C120150B7S
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

UF3C120150B7S

制造商:

UnitedSiC (碳化硅(SiC)功率半导体制造商)

产品类别:

未分类

商品描述:

1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

服务:

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UF3C120150B7S 中文资料

UF3C120150B7S 规格参数

关键信息

制造商 UnitedSiC

商标名 SiC FET

商标 UnitedSiC

技术类参数

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1.2 kV

漏极电流 17 A

漏源电阻 150 mOhms

栅极电压 - 25 V, + 25 V

栅源极阈值电压 4.4 V

栅极电荷 25.7 nC

耗散功率 136 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 8 ns

湿度敏感性 Yes

上升时间 6 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 32 ns

典型接通延迟时间 32 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

库存: 556

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服
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