制造商型号: | UF3C065030T3S |
制造商: | SiC (碳化硅(SiC)功率半导体制造商) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商) UF3C065030T3S
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UF3C065030T3S 中文资料
数据手册PDF
UF3C065030T3S 规格参数
关键信息
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 85 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 441 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 61 ns
典型接通延迟时间 43 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 4681
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 227.652185 | 227.65 |
50 | 184.333583 | 9216.68 |
100 | 173.489626 | 17348.96 |
500 | 157.22481 | 78612.40 |
品牌其他型号
UF3C065030T3S品牌厂家:SiC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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