制造商型号： | DMN3012LFG-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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DIODES(美台) DMN3012LFG-13
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DMN3012LFG-13 中文资料
数据手册PDF
DMN3012LFG-13 规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMN3012LFG-13
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
功率 - 最大值
2.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerLDFN
供应商器件封装
PowerDI3333-8
