制造商型号: | DMHC10H170SFJ-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMHC10H170SFJ-13
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DMHC10H170SFJ-13 中文资料
数据手册PDF
DMHC10H170SFJ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.9 A, 2.3 A
漏源电阻 111 mOhms, 191 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 3 V
栅极电荷 9.7 nC, 17.5 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 12.8 ns, 34.4 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 11.1 ns, 14.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 42.6 ns, 57.4 ns
典型接通延迟时间 10.5 ns, 9.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 10 mg
库存: 8922
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 15.44597 | 15.45 |
10 | 12.668188 | 126.68 |
100 | 9.849298 | 984.93 |
500 | 8.348548 | 4174.27 |
1000 | 6.800836 | 6800.84 |
品牌其他型号
DMHC10H170SFJ-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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