制造商型号: | APTMC120HR11CT3AG |
制造商: | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | POWER MODULE - SIC MOSFET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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MICROSEMI(美高森美) APTMC120HR11CT3AG
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APTMC120HR11CT3AG 中文资料
数据手册PDF
APTMC120HR11CT3AG 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTMC120HR11CT3AG
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
POWER MODULE - SIC MOSFET
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Silicon Carbide (SiC)
漏源电压(Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
26A (Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
98mOhm @ 20A, 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
62nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
950pF @ 1000V
功率 - 最大值
125W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
Module
供应商器件封装
SP3