制造商型号： | IXFK170N20T |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 170A TO-264 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFK170N20T
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IXFK170N20T 中文资料
数据手册PDF
IXFK170N20T 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 265 nC
耗散功率 1.15 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导（Min） 85 S
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 33 ns
外形参数
高度 26.16 mm
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 GigaMOS Power MOSFET
单位重量 10 g
库存： 1469
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 206.718332 | 206.72 |
| 10 | 190.023416 | 1900.23 |
| 100 | 160.489706 | 16048.97 |
| 500 | 142.766494 | 71383.25 |
| 1000 | 130.951382 | 130951.38 |
品牌其他型号
IXFK170N20T品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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