制造商型号: | IXTA4N65X2 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA4N65X2
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IXTA4N65X2 中文资料
数据手册PDF
IXTA4N65X2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 850 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 80 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 2.5 S
上升时间 28 ns
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存: 35
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 36.482142 | 36.48 |
10 | 30.281423 | 302.81 |
100 | 24.098136 | 2409.81 |
500 | 20.390903 | 10195.45 |
1000 | 17.3015 | 17301.50 |
2000 | 16.436389 | 32872.78 |
5000 | 15.818434 | 79092.17 |
品牌其他型号
IXTA4N65X2品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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