制造商型号： | GTVA104001FA-V1-R0 |
制造商： | CREE (科锐) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 400W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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CREE(科锐) GTVA104001FA-V1-R0
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GTVA104001FA-V1-R0 中文资料
数据手册PDF
GTVA104001FA-V1-R0 规格参数
关键信息
制造商 Wolfspeed
商标 Wolfspeed
技术类参数
晶体管类型 HEMT
技术 GaN-on-SiC
工作频率 960 MHz to 1.215 GHz
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 150 V
栅源极击穿电压 - 10 V to 2 V
漏极电流 4.6 A
输出功率 400 W
漏极/栅极电压（Max） -
栅源极阈值电压 - 3 V
规格参数
增益 19 dB
开发套件 LTN/GTVA104001FA-V1
物理类型
产品种类 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
安装风格 Flange Mount
产品类型 RF JFET Transistors
GTVA104001FA-V1-R0 同类别型号
库存： 50
货期： | 工作日（7~10天） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：咨询客服 总价：咨询客服 | |
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价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
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品牌其他型号
GTVA104001FA-V1-R0品牌厂家：CREE
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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