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ROHM(罗姆) SH8M41GZETB

ROHM(罗姆) SH8M41GZETB
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SH8M41GZETB

制造商:

ROHM (罗姆)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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SH8M41GZETB 中文资料

数据手册PDF

SH8M41GZETB 规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 80 V

漏极电流 3.4 A, 2.6 A

漏源电阻 90 mOhms, 165 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 9.2 nC, 11.5 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 12 ns, 20 ns

上升时间 15 ns, 12 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 40 ns, 60 ns

典型接通延迟时间 12 ns, 14 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SH8M41

单位重量 83 mg

库存: 1000

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

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