制造商型号： | ZXMHC10A07N8TC |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) ZXMHC10A07N8TC
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ZXMHC10A07N8TC 中文资料
数据手册PDF
ZXMHC10A07N8TC 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1 A, 850 mA
漏源电阻 700 mOhms, 1.45 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 2.9 nC, 3.5 nC
耗散功率 870 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 2.1 ns, 3.3 ns
正向跨导（Min） 1.6 S, 1.2 S
上升时间 1.5 ns, 2.1 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 4.1 ns, 5.9 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns, 1.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 17688
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 15.189463 | 15.19 |
| 10 | 12.47528 | 124.75 |
| 100 | 9.705071 | 970.51 |
| 500 | 8.225966 | 4112.98 |
| 1000 | 6.700794 | 6700.79 |
品牌其他型号
ZXMHC10A07N8TC品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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