制造商型号: | IXTP08N50D2 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTP08N50D2
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IXTP08N50D2 中文资料
数据手册PDF
IXTP08N50D2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 4.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 12.7 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 52 ns
正向跨导(Min) 340 mS
上升时间 54 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 28 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 17.447192 | 17.45 |
10 | 15.65957 | 156.60 |
100 | 12.588435 | 1258.84 |
500 | 10.342753 | 5171.38 |
1000 | 8.569718 | 8569.72 |
品牌其他型号
IXTP08N50D2品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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