制造商型号： | IPD60R180P7ATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPD60R180P7ATMA1
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IPD60R180P7ATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPD60R180P7ATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 72 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R180P7 SP001606052
单位重量 330 mg
库存： 4796
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 27.91201 | 27.91 |
| 10 | 23.176937 | 231.77 |
| 100 | 18.450587 | 1845.06 |
| 500 | 15.611785 | 7805.89 |
| 1000 | 13.246367 | 13246.37 |
品牌其他型号
IPD60R180P7ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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