制造商型号： | IXTJ4N150 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOTO-247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTJ4N150
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IXTJ4N150 中文资料
数据手册PDF
IXTJ4N150 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.5 kV
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 44.5 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导（Min） 2.8 S
上升时间 23 ns
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 19 ns
外形参数
高度 21.34 mm
长度 6.13 mm
宽度 5.21 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 High Voltage Power MOSFET
单位重量 6 g
库存： 4
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 142.562516 | 142.56 |
| 30 | 115.443294 | 3463.30 |
| 120 | 108.653164 | 13038.38 |
| 510 | 98.466786 | 50218.06 |
| 1020 | 90.317708 | 92124.06 |
品牌其他型号
IXTJ4N150品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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