制造商型号： | RSH065N06GZETB |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | 4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROHM(罗姆) RSH065N06GZETB
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RSH065N06GZETB 中文资料
数据手册PDF
RSH065N06GZETB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 37 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RSH065N06
单位重量 83 mg
库存： 109
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 15.562974 | 15.56 |
| 10 | 12.736738 | 127.37 |
| 100 | 9.903032 | 990.30 |
| 500 | 8.393797 | 4196.90 |
| 1000 | 6.837625 | 6837.63 |
品牌其他型号
RSH065N06GZETB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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