制造商型号: | DMN2011UFDE-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMN2011UFDE-7
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DMN2011UFDE-7 中文资料
数据手册PDF
DMN2011UFDE-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 11.7 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 1.97 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.5 ns
上升时间 2.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21.6 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 44560
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.850252 | 7.85 |
10 | 6.766171 | 67.66 |
100 | 4.683984 | 468.40 |
500 | 3.913414 | 1956.71 |
1000 | 3.330626 | 3330.63 |
品牌其他型号
DMN2011UFDE-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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