制造商型号: | IXFQ50N50P3 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFQ50N50P3
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IXFQ50N50P3 中文资料
数据手册PDF
IXFQ50N50P3 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 85 nC
耗散功率 960 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
库存: 20
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 86.121485 | 86.12 |
10 | 77.842949 | 778.43 |
25 | 74.21522 | 1855.38 |
100 | 61.545354 | 6154.54 |
250 | 57.925039 | 14481.26 |
500 | 54.304724 | 27152.36 |
1000 | 48.874252 | 48874.25 |
2500 | 47.064094 | 117660.23 |
品牌其他型号
IXFQ50N50P3品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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