制造商型号: | DMN30H4D0L-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 300V .25A SOT23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMN30H4D0L-13
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DMN30H4D0L-13 中文资料
数据手册PDF
DMN30H4D0L-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 550 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 7.6 nC
耗散功率 630 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17.5 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 4.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25.8 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMN30H4D0L-13 同类别型号
品牌其他型号
DMN30H4D0L-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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