DMN30H4D0L-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 4 Ω
极性 N-CH
耗散功率 630 mW
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 300 V
漏源击穿电压 300 V
连续漏极电流Ids 0.25A
上升时间 4.7 ns
输入电容Ciss 187.3pF @25VVds
下降时间 17.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 310mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN30H4D0L-13引脚图
DMN30H4D0L-13封装图
DMN30H4D0L-13封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN30H4D0L-13 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DMN30H4D0L-13 品牌: Diodes 美台 封装: SOT-23 N-CH 300V 0.25A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3Pin SOT-23 T/R | 当前型号 | |
型号: DMN30H4D0L-7 品牌: 美台 封装: SOT-23 N-CH 300V 0.25A | 功能相似 | N沟道 300V 250mA | DMN30H4D0L-13和DMN30H4D0L-7的区别 |