制造商型号： | ZXMHC3A01N8TC |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) ZXMHC3A01N8TC
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ZXMHC3A01N8TC 中文资料
数据手册PDF
ZXMHC3A01N8TC 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.72 A, 2.06 A
漏源电阻 180 mOhms, 330 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 3 V
栅极电荷 3.9 nC, 5.2 nC
耗散功率 10.9 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 2.9 ns
上升时间 2.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥14.085864 总价：￥14.09 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.085864 | 14.09 |
| 10 | 12.627853 | 126.28 |
| 100 | 9.84775 | 984.77 |
| 500 | 8.13471 | 4067.36 |
| 1000 | 6.422042 | 6422.04 |
品牌其他型号
ZXMHC3A01N8TC品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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