制造商型号： | EM6M1T2R |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROHM(罗姆) EM6M1T2R
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EM6M1T2R 中文资料
数据手册PDF
EM6M1T2R 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V, 20 V
漏极电流 100 mA, 200 mA
漏源电阻 8 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 900 pC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 EM6M1
单位重量 6 mg
库存： 38611
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.43665 | 5.44 |
| 10 | 4.633508 | 46.34 |
| 25 | 4.324608 | 108.12 |
| 100 | 3.212566 | 321.26 |
| 250 | 3.051938 | 762.98 |
| 500 | 2.508272 | 1254.14 |
| 1000 | 2.038744 | 2038.74 |
| 2500 | 1.915183 | 4787.96 |
品牌其他型号
EM6M1T2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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