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DIODES(美台) BSS84V-7

DIODES(美台) BSS84V-7
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

BSS84V-7

制造商:

DIODES (美台)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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BSS84V-7 中文资料

数据手册PDF

BSS84V-7 规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 50 V

漏极电流 130 mA

漏源电阻 10 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 -

耗散功率 150 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

晶体管类型 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 18 ns

典型接通延迟时间 10 ns

外形参数

高度 0.6 mm

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 6 mg

库存: 3193

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服
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价格(含增值税)

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