制造商型号: | IXFP34N65X2M |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
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客服: | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFP34N65X2M
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IXFP34N65X2M 中文资料
数据手册PDF
IXFP34N65X2M 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 34 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 37 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 52.640869 | 52.64 |
10 | 45.126926 | 451.27 |
100 | 37.607215 | 3760.72 |
500 | 33.182929 | 16591.46 |
1000 | 29.864608 | 29864.61 |
品牌其他型号
IXFP34N65X2M品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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