制造商型号： | DMG6301UDW-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMG6301UDW-7
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DMG6301UDW-7 中文资料
数据手册PDF
DMG6301UDW-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 240 mA
漏源电阻 3.8 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 850 mV
栅极电荷 360 pC
耗散功率 370 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.3 ns
正向跨导（Min） 1 S
上升时间 1.8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.6 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
DMG6301UDW-7 引脚图与封装图
DMG6301UDW-7引脚图
DMG6301UDW-7封装图
DMG6301UDW-7封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.591122 | 1773.37 |
| 6000 | 0.532038 | 3192.23 |
品牌其他型号
DMG6301UDW-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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