制造商型号： | DMN53D0LDW-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMN53D0LDW-13
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DMN53D0LDW-13 中文资料
数据手册PDF
DMN53D0LDW-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 360 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 600 pC
耗散功率 310 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11 ns, 11 ns
上升时间 2.5 ns, 2.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns, 2.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存： 36086
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
品牌其他型号
DMN53D0LDW-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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