制造商型号: | CG2H80030D-GP4 |
制造商: | CREE (科锐) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | RF MOSFET HEMT 28V DIE |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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CREE(科锐) CG2H80030D-GP4

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CG2H80030D-GP4 中文资料
数据手册PDF
CG2H80030D-GP4 规格参数
关键信息
制造商 Wolfspeed
商标 Wolfspeed
技术类参数
晶体管类型 HEMT
技术 GaN
工作频率 8 GHz
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 120 V
栅源极击穿电压 - 10 V, 2 V
漏极电流 3 A
输出功率 30 W
漏源电阻 410 mOhms
栅源极阈值电压 - 3 V
规格参数
增益 16.5 dB
物理类型
产品种类 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF JFET Transistors
单位重量 5.365 g
库存: 200
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
10 | 1138.434982 | 11384.35 |
30 | 1107.459708 | 33223.79 |
100 | 1030.013772 | 103001.38 |
品牌其他型号
CG2H80030D-GP4品牌厂家:CREE
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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