制造商型号： | IXTQ26P20P |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTQ26P20P
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IXTQ26P20P 中文资料
数据手册PDF
IXTQ26P20P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 26 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 18 ns
外形参数
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
库存： 5
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 111.220821 | 111.22 |
| 30 | 88.736928 | 2662.11 |
| 120 | 79.394685 | 9527.36 |
| 510 | 70.053514 | 35727.29 |
| 1020 | 63.048285 | 64309.25 |
| 2010 | 59.078604 | 118747.99 |
品牌其他型号
IXTQ26P20P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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