制造商型号： | A2T18S166W12SR3 |
制造商： | NXP (恩智浦) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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NXP(恩智浦) A2T18S166W12SR3
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A2T18S166W12SR3 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 1.6 A
漏源击穿电压 - 5 V, 65 V
工作频率 1805 MHz to 1995 MHz
输出功率 38 W
通道数量 1 Channel
栅极电压 - 6 V, 10 V
栅源极阈值电压 1.4 V
规格参数
增益 18.1 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 Flange Mount
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935363021128
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 250 | 377.438641 | 94359.66 |
品牌其他型号
A2T18S166W12SR3品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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