制造商型号: | IPD65R1K4CFDATMA2 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | LOW POWER_LEGACY |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPD65R1K4CFDATMA2
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IPD65R1K4CFDATMA2 中文资料
数据手册PDF
IPD65R1K4CFDATMA2 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 2.8 A
漏源电阻 3.276 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 28.4 W
下降时间 18.2 ns
上升时间 6 ns
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD65R1K4CFD SP001977046
单位重量 4 g
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 2500 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥5.215972 总价:¥13039.93 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 5.215972 | 13039.93 |
品牌其他型号
IPD65R1K4CFDATMA2品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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