制造商型号： | IXTP02N50D |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTP02N50D
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IXTP02N50D 中文资料
数据手册PDF
IXTP02N50D 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 30 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 -
耗散功率 25 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 45 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 9.15 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 50
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 101.038694 | 101.04 |
| 10 | 90.725779 | 907.26 |
| 100 | 74.333819 | 7433.38 |
| 500 | 63.278653 | 31639.33 |
| 1000 | 53.367385 | 53367.39 |
| 2000 | 51.981272 | 103962.54 |
品牌其他型号
IXTP02N50D品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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