制造商型号： | TP65H300G4LSG |
制造商： | Transphorm |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | GAN FET N-CH 650V PQFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Transphorm TP65H300G4LSG
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TP65H300G4LSG 中文资料
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TP65H300G4LSG 规格参数
属性
参数值
制造商型号
TP65H300G4LSG
制造商
Transphorm
商品描述
GAN FET N-CH 650V PQFN
包装
-
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
312mOhm @ 5A, 8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9.6nC @ 8V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
760pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
21W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
3-PQFN (8x8)
封装/外壳
3-PowerDFN
TP65H300G4LSG 同类别型号
库存： 469
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 49.6712 | 49.67 |
| 10 | 44.642302 | 446.42 |
| 100 | 36.575056 | 3657.51 |
| 500 | 31.135691 | 15567.85 |
| 1000 | 26.259014 | 26259.01 |
| 2000 | 25.576962 | 51153.92 |
品牌其他型号
TP65H300G4LSG品牌厂家：Transphorm
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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