制造商型号： | ZXMC10A816N8TC |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) ZXMC10A816N8TC
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ZXMC10A816N8TC 中文资料
数据手册PDF
ZXMC10A816N8TC 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.1 A, 2.2 A
漏源电阻 230 mOhms, 235 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V, 2 V
栅极电荷 9.2 nC, 16.5 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns, 12 ns
正向跨导（Min） 4.8 S, 4.7 S
上升时间 2.1 ns, 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12.1 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns, 4.3 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 4.95 mm
宽度 3.95 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
ZXMC10A816N8TC 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥11.476618 总价：￥11.48 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 11.476618 | 11.48 |
| 10 | 10.257966 | 102.58 |
| 100 | 8.000503 | 800.05 |
| 500 | 6.609112 | 3304.56 |
| 1000 | 5.21772 | 5217.72 |
