制造商型号: | NTRV4101PT1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) NTRV4101PT1G
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NTRV4101PT1G 中文资料
数据手册PDF
NTRV4101PT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 730 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 7.5 S
上升时间 12.6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30.2 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 22627
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.165198 | 7.17 |
10 | 6.33311 | 63.33 |
100 | 4.853844 | 485.38 |
500 | 3.836848 | 1918.42 |
1000 | 3.069364 | 3069.36 |
品牌其他型号
NTRV4101PT1G品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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